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一、HMDS真空烤箱,光刻HMDS预处理烘箱技术参数:
电源电压:AC 220V±10%/50Hz±2%
输入功率:2400W
控温范围:室温+10℃-250℃
温度分辨率:0.1℃
温度波动度:±0.5℃
达到真空度:133Pa
容积:90L
工作室尺寸(mm):450*450*450(可选择)
载物托架:2块
时间单位:min
二、HMDS真空烤箱,光刻HMDS预处理烘箱特点:
1、 采用科研级不锈钢316L材质制造,内胆为不锈钢316L;加热器均匀分布在内胆外壁四周,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。 2、 箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内高真空度。 3、 微电脑智能控温仪,具有设定,测定温度双数字显示和PID自整定功能,控温精确,可靠。 4、 智能化触摸屏控制系统配套进口PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序,温度,真空度及每一程序时间。 5、 HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,真空箱密封性能佳,确保HMDS气体无外漏顾虑。 6、 整个系统采用优质材料制造,无发尘材料,适用100 级光刻间净化环境。
六甲基二硅胺(HMDS)是黄光区zui毒的东西,建议使用HMDS真空烘箱,HMDS真空烘箱预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真牢度达到某一高真空度后,开始充人氮气,充到达到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入通过氮气的HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。
HMDS与硅片反应机理圈:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表而生成硅醚,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(*基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
尾气排放等:多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到废气收集管道。