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面议光刻机介绍
曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ~ ø6″
光源 超高压水银灯 :500W or 1kW
曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高压水银灯 :2kW or 3.5kW
LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2~4″或者Ø4~6″
光源 超高压汞灯:500W 或 1kW
Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃, 对齐精度自动对齐:+/- 1 μm(
峰值搜索)
Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯:3.5kW Ø200mm规格也可对应
マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量(※3)245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量(※3)460/70135
マスクレス露光装置MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量(※3)100/50
MA-4301M | ||
---|---|---|
Wafer尺寸 | 材料 | Si,Glass |
尺寸 | Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm | |
Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm | ||
节拍时间 | Proximity exposure:19 s/wafer (One parallelism compensation per lot) | |
对位精度 | 自动对位:+/- 1 μm (Peak search) | |
间隙 | 1 to 200 μm Servo motor Setup resolution:1 μm | |
曝光方式 | Soft contact exposure Hard contact exposure Proximity exposure | |
尺寸・重量 | 本体尺寸:W 1800 x D 1650 x H 2015 mm 总重量(including lamp house):1400 kg |