该系列GaN IMFET氮化镓微波功率晶体管代表了国产GaN功放管的zui高技术水平，技术参数和表现达到了国外同类氮化镓微波功率晶体管的水平，但是氮化镓微波功率晶体管价格具有很强的竞争力。详情联系我们。

       中国制造的GaN-IMFET不断改进和完善，使氮化镓（GaN）晶体管能够在更高的频率下工作，产生更高的输出功率，广泛应用于射频放大器中，使地球站能够与那些天上的卫星通信。
       国产GaN-IMFET比过去小得多，效率高。与硅和砷化镓技术相比，GaN技术仍然是一项新技术，但工程师们正在开始探索它的优点和能力。GaN具有高击穿场、高饱和速度和优异的热性能，非常适合于要求较高的VSAT应用。
      该器件是与50Ω*匹配的GaN IMFET，采用工业标准空腔封装，非常适合军用和民用雷达。该装置可支持脉冲和线性操作。

      无铅和符合ROHS标准，可根据要求提供评估板。
主要特点

*频率：1.2至1.4 GHz

*输出功率（P3dB）：540瓦

*线性增益：19.9dB

*典型的PAE3dB1:66.7%

*工作电压：50V

*低热阻封装

*脉冲能力

注1：@1.3 GH