1. 设备用途

本设备主要供大专院校、科研单位等针对金属化合物、陶瓷、无机化合物、纳米材料等在真空或保护气氛的条件下进行加压加热烧结处理，以便获得高致密度的产品，例如生产高精度氮化硅陶瓷轴承等。

2. 主要技术参数

2. 1电源：三相 380V 50Hz

2.2 额定功率：≤8Kw

2.3 设计温度：1000℃

2.4 工作区尺寸：120*120*120（L*W*H，mm）

2.5 控温区数：一区

2.6 控温方式：热电偶

2.7 控温精度：±1℃

2.8 冷态极限真空度：6.67*10-3Pa（空炉、冷态、烘烤除气后）

2.9 压升率：4Pa/h

2.10 充气气氛：惰性气体

2.11 充气压力（微正压）：≤0.03MPa

2.12 设计压力：5T 双向加压（数显、自动调压、自动保压、伺服电动缸）

2.13 压头直径：Ф40mm

2.14 压力波动：≤±100N，位移精度≥0.01mm

2.15 压力行程：0～80mm（数显）

2.16 压力控制：伺服电动控制