使用常规的光刻技术，在标准半导体周期中以GaAs高迁移率异质结构制造探测器。成像传感器在单个晶片上制造。该过程确保了等离子体检测器参数的高度均匀性和可重复性（像素到像素的偏差响应度在20％的范围内）。每个检测器单元的室温响应率高达50 kV / W，具有读出电路，在10 GHz到1 THz的频率范围内的等效噪声功率为1 nW /√Hz。该检测机制基于激发二维电子系统中等离子体振荡并随后进行整流的机制。整流发生在电子系统中产生的特殊缺陷上。

太赫兹相机是主动检测设备，需要外部THz源。提供基于IMPATT技术的太赫兹波源。所有的TERA系列太赫兹成像相机都使用具有相同功能和空间分辨率的相同类型的探测器。各型号之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量及其有效成像区域。除了标准THz相机机型号外，还提供定制的解决方案，以满足各种配置和几何形状要求。